Последние новости
03.10.2023, 22:59 Передвижная выставка Музея-заповедника С.В. Рахманинова в Московском международном Доме музыки
03.10.2023, 22:27 Лекторий стал важнейшей частью ярмарки молодого современного искусства blazar 2023
03.10.2023, 17:30 Строительство: создать фундамент престижного труда для молодёжи
03.10.2023, 09:30 «Renaissance: Фильм Бейонсе» будет показан в мировых кинотеатрах в декабре
03.10.2023, 09:10 Safra New York Corporation завершила приобретение Delta North Bankcorp
03.10.2023, 08:44 Kennametal расширяет ассортимент HARVI и представляет первую 8-флейтовую концевую фрезу
30.09.2023, 20:59 Редактор диаграмм и схем «Р7-Графика» – новый инструмент для «Р7-Офис. Профессиональный»
30.09.2023, 10:51 CGTN: Праздник середины осени: ностальгия Си Цзиньпина
30.09.2023, 09:42 Huawei и China Mobile совместно предоставили высокоскоростной Wi-Fi в туристическом лагере горы Эверест
30.09.2023, 08:03 Партнерство с кинотеатром «Художественный» подчеркивает особое отношение MR Group к искусству
Инженеры нашли новый способ управления электронами
Наука
Инженеры Национального университета Сингапура (NUS) продемонстрировали новый способ управления электронами в устройстве, выполненном из атомно-тонких материалов и применяя внешние электрические и магнитные поля.
Почти все современные технологии, такие как двигатели, лампочки, персональные компьютеры и полупроводниковые чипы работает на электроэнергии, используя поток электронов, проходящих через устройства. Ведущий разработчик Castro Neto поясняет, что маленькие и быстрые электроны подчиняются странным законам квантовой физики, что делает трудным контролировать их движение.
Для управления электронным поведением, многие полупроводниковые материалы требуют химического допинга, когда в исходный материал помещают небольшие количества посторонних веществ, способных освобождать или поглощать электроны, изменения их концентрацию, что в свою очередь может быть использован для управления токами.
Тем не менее, химический допинг имеет ограничение, так как этот метод вызывает необратимые химические изменения в материале. Чужеродные атомы, внедренные в материал, могут нарушить его естественный порядок, часто маскируя важные электронные состояния чистого вещества.
Исследовательская группа во главе с Neto смогла воспроизвести эффект химического допинга в данном исследовании, используя только внешние электрические и магнитные поля, применяемые к атомно-тонкому материалу, диселениду татана (TiSe2), инкапсулированного с нитридом бора (HBN). Исследователи смогли максимально точно управлять поведением электронов, делая измерения, которые были возможно лишь теоретически. Тонкость двух материалов имеет решающее значение, ограничивая нахождение электронов в двумерном слое материала, на который действуют электрические и магнитные поля.
«В частности, мы могли бы также управлять материалом в состоянии сверхпроводимости, когда электроны движутся по всему материалу без тепла или потери энергии», говорит Neto.
Из-за своей тонкости, двумерные сверхпроводящие материалы имеют преимущества перед традиционными сверхпроводниками, в таких приложениях, портативная магнитно-резонансная томография, например. Или для разработки современных джойстиков для ПК, которые можно найти на www.a-techno.com.ua/182/285/459/296/ в большом ассортименте. Компьютерная игра, с использованием этих универсальных, функциональных манипуляторов, станет производительней, а человек получит максимальное ощущение реальности и комфорта при любой компьютерной игре.
Одной из конкретных исследовательской группы является разработка высокотемпературных двумерных сверхпроводящих материалов. Имеющиеся материалы требуют чрезвычайно холодной температуры -270 ° С для функционирования, исключая такие интересные приложения, как электролинии без потерь энергии, левитирующие поезда.