Последние новости
21.10.2025, 16:34 Инновационный прорыв в мире спорта!
20.10.2025, 18:41 «Звёздное дежавю»: шоу-ностальгия о легендах, которых мы любим
20.10.2025, 11:30 Зеленые инвестиции: как хвойный лес приносит до 800% дохода за четыре года
20.10.2025, 10:16 Роль Наблюдательного совета Московской биржи
20.10.2025, 07:22 Disease Modeling Coalition, созданная C-Path, начинает глобальную работу по борьбе с ВЗК у детей из европейского центра
20.10.2025, 07:19 Smart City Expo Doha — процветающее будущее это не только про связь
18.10.2025, 20:10 Военно-исторический фестиваль «Москва за нами!»
18.10.2025, 10:40 CGTN: Китай возглавляет глобальный импульс по достижению новой вехи в развитии женщин
17.10.2025, 21:36 Югра получила стратегическую связь с федеральными трассами через новый мост
17.10.2025, 18:33 Спецприз Фонд Юрия Лужкова получит студентка Елецкого университета
Кремний чип со встроенным лазером
Наука
Физики Технического университета Мюнхена (ТУМ) разработали нанолазер в тысячу раз тоньше человеческого волоса. Благодаря уникальному процессу, нанопроволочные лазеры растут прямо на кремниевом чипе, что делает возможным экономично производить высокопроизводительные фотонные компоненты. Разработка откроет путь для быстрой и эффективной обработки данных со светом в будущем.
«Миниатюризация электроники практически достигает своих физических пределов. Сегодня транзисторы размером с всего лишь несколько нанометров. Дальнейшие сокращения являются чудовищно дорогими», говорит профессор Джонатан Финли. «Повышение эффективности достижимо, лишь путем замены электронов фотонами, то есть частицами света».
Кремниевые фотоннные чипы уже существуют. Однако источники света для передачи данных должен быть прикреплены к кремнию в сложном производственном процессе и исследователи во всем мире искали альтернативные подходы. Группе Финли удалось разработали процесс размещения нанолазеров непосредственно на кремниевых чипах оригинальным способом.
Сейчас нанопроволочный лазер из арсенида галлия производит инфракрасный свет заданной волны и при импульсном возбуждении. «В будущем, мы хотим изменить длину волны излучения и другие лазерные параметров для лучшей температурной стабильностьи управления и распространения света при непрерывном возбуждении в кремниевых чипах», добавляют авторы.