Последние новости
11.02.2026, 17:22 Freedom Holding Corp.: партнерство с NVIDIA, Amazon и Microsoft усиливает экосистему
06.02.2026, 17:41 Аэропорт Стокгольма закрыли из-за асбеста
06.02.2026, 02:05 Флагманский завод XPS ТЕХНОНИКОЛЬ в Рязани получит свыше 150 млн рублей инвестиций в 2026 году
04.02.2026, 16:03 Обязательный переход на BIM: почему чертежи больше не спасают проект
30.01.2026, 16:00 Шинный комплекс подвёл итоги конкурса среди специалистов производственного блока
28.01.2026, 16:15 Творческие коллективы нижнекамского шинного комплекса стали участниками республиканского конкурса
23.01.2026, 20:34 В Татарстане до 2,9 млн руб. увеличили единовременную выплату для бойцов СВО
23.01.2026, 18:18 SunWiz: компания Sigenergy заняла первое место среди брендов по хранению энергии на нескольких мировых рынках
23.01.2026, 18:01 Компания Lee Kum Kee в сотрудничестве с UNESCO запускает проект «Forever Flavors Project» для создания глобального архива вкусовых воспоминаний
23.01.2026, 18:47 Мосгортранс получил партию LADA e-Largus с высокоресурсными батареями САЭ
Кремний чип со встроенным лазером
Наука
Физики Технического университета Мюнхена (ТУМ) разработали нанолазер в тысячу раз тоньше человеческого волоса. Благодаря уникальному процессу, нанопроволочные лазеры растут прямо на кремниевом чипе, что делает возможным экономично производить высокопроизводительные фотонные компоненты. Разработка откроет путь для быстрой и эффективной обработки данных со светом в будущем.
«Миниатюризация электроники практически достигает своих физических пределов. Сегодня транзисторы размером с всего лишь несколько нанометров. Дальнейшие сокращения являются чудовищно дорогими», говорит профессор Джонатан Финли. «Повышение эффективности достижимо, лишь путем замены электронов фотонами, то есть частицами света».
Кремниевые фотоннные чипы уже существуют. Однако источники света для передачи данных должен быть прикреплены к кремнию в сложном производственном процессе и исследователи во всем мире искали альтернативные подходы. Группе Финли удалось разработали процесс размещения нанолазеров непосредственно на кремниевых чипах оригинальным способом.
Сейчас нанопроволочный лазер из арсенида галлия производит инфракрасный свет заданной волны и при импульсном возбуждении. «В будущем, мы хотим изменить длину волны излучения и другие лазерные параметров для лучшей температурной стабильностьи управления и распространения света при непрерывном возбуждении в кремниевых чипах», добавляют авторы.