Последние новости
26.04.2024, 09:17 Найден новый способ изменения размера шрифта интерфейса в «Р7-Органайзер ПРО»
25.04.2024, 18:19 В Перми готовятся к проведению 12-й Летней международной встрече специалистов индустрии развлечений
24.04.2024, 18:33 Обнаружен новый способ перемещения листа из одной книги в другую в редакторе таблиц «Р7-Офис»
23.04.2024, 23:45 Специалисты лазерной эпиляции стали участниками курса повышения квалификации
22.04.2024, 17:18 Фонд «Орион» продолжает помогать новым регионам России
20.04.2024, 10:18 CoinEx стала спонсором Token2049 Dubai
20.04.2024, 09:46 Компания Kohler Co. вышла в финал конкурса FuoriSalone Award Миланской недели дизайна
20.04.2024, 09:43 Huawei и ЮНЕСКО расширили проект по открытию школ в новых странах
20.04.2024, 09:27 Shanghai Electric представил новые решения на Всемирном саммите по энергетике будущего 2024 в Абу-Даби
18.04.2024, 17:59 Выставка достижений народного хозяйства (ВДНХ) отпраздновала “День Космонавтики”
Созданы ультратонкие полупроводниковые гетероструктуры
Наука
Гетероструктуры, образованные различных трехмерными полупроводниками, являются основой для современных электронных и фотонных устройств. Команда инженеров Университета Вашингтон успешно совместила два различных сверхтонких полупроводника, толщиной в один слой атомов и примерно 100000 раз тоньше человеческого волоса, создав новые двумерные гетероструктуры.
Команда получены два типа полупроводниковых кристаллов, вольфрама диселенида (WSe2) и молибдена диселенида (MoSe2). Ведущий автор Xiaodong Xu говорит: «То, что мы видим здесь, отличается от гетероструктур из 3-D полупроводников. Мы создали систему, чтобы изучить особые свойства этих атомарно тонких слоев и их потенциал, в попытке ответить на основные вопросы физике и разработать новые электронные и фотонные технологии».
Когда полупроводники поглощают свет, пар из положительных и отрицательных зарядов создает так называемые экситоны. Ученые давно изучили, как эти экситоны ведут себя, но когда они сжаты до предела 2-D в этих атомарно тонких материалов, начинаются удивительные взаимодействия.
Xu добавляет: «Уже было известно, что эти ультратонкие 2-D полупроводники имеют уникальные свойства, которые нельзя найти в других 2-D или 3-D структурах. Мы показываем здесь, что при совмещении этих двух слоев вместе — один сверху другого — интерфейс между этими листами становится местом для еще более новых физических свойств».