Последние новости
28.10.2025, 10:13 Рэпер ST написал детскую песню!
27.10.2025, 20:00 Новый сезон проекта «Молодые таланты» — истории успеха юных артистов России
25.10.2025, 16:25 Объявлен старт конкурса для присуждения III Профессиональной премии в области отдыха и развлечений ПРОПАРК-2026
21.10.2025, 16:34 Инновационный прорыв в мире спорта!
20.10.2025, 18:41 «Звёздное дежавю»: шоу-ностальгия о легендах, которых мы любим
20.10.2025, 11:30 Зеленые инвестиции: как хвойный лес приносит до 800% дохода за четыре года
20.10.2025, 10:16 Роль Наблюдательного совета Московской биржи
20.10.2025, 07:22 Disease Modeling Coalition, созданная C-Path, начинает глобальную работу по борьбе с ВЗК у детей из европейского центра
20.10.2025, 07:19 Smart City Expo Doha — процветающее будущее это не только про связь
18.10.2025, 20:10 Военно-исторический фестиваль «Москва за нами!»
Найден новый материал для транзисторов
Наука
Группа инженеров университетов Юты и Миннесоты обнаружили, что взаимодействие двух оксидных материалов повышает их проводимостью, что может привести к гораздо более энергоэффективным ноутбукам, электрическим автомобилям и бытовой технике, которые требуют громоздких источников питания.
Исследователи во главе с Berardi Sensale-Rodriguez показали, что когда два оксидных соединения — титанат стронция (STO) и неодимовый титанат (НТО) взаимодействуют друг с другом, то связи между атомами располагаются таким образом, что производится много свободных электронов, частиц, которые могут проводить электрический ток. STO и НТО являются, сами по себе, известны как изоляторы.
Но когда они взаимодействуют, количество электронов повышается в сто раз больше, чем это возможно в полупроводниках. «Кроме того, такое соединение имеет примерно в пять раз большую проводимость, чем кремний», говорит Sensale-Rodriguez. Это открытие может значительно улучшить силовые транзисторы — устройства, которые регулируют электрический ток, позволяя сделать источники питания намного эффективнее для бытовой электроники, начиная от телевизоров и холодильников до карманных устройств.
Сегодня производители электроники используют нитрид галлия для транзисторов в источников питания и других электронных устройств. Но этот материал хорошо изучен и не может быть более эффективным. Интерфейс между STO и НТО имеет такую же проводимость как нитрид галлия и показатель может быть увеличен в будущем. Мощные транзисторы, которые используют эту комбинацию материалов, позволят уменьшить размеров устройств и приборов.