Последние новости
26.12.2024, 17:35 Компания «Симпреал» устроила новогодний утренник для первоклашек в пос. Новоорск
26.12.2024, 14:01 Будущее и настоящее отрасли недвижимости на конференции CORE.XP «Сила четырех» в Центре Событий РБК 18 февраля 2025 года
26.12.2024, 13:00 ФПК «Гарант-Инвест» сообщила о выплате 44,4 млн рублей по своим обязательствам
26.12.2024, 11:01 Новый ЖК бизнес-класса «Станиславский» от «ОМ Девелопмент» получит лобби и отделку квартир по проекту бюро BLANK
25.12.2024, 19:13 В российском турсервисе Russpass появился ИИ-помощник
25.12.2024, 16:15 Премия «Врач с большой буквы» присуждена 83 онкологам и гематологам из 9 регионов РФ
25.12.2024, 16:37 GAC представила новый бренд летающих автомобилей GOVY
25.12.2024, 15:10 EliTe Solar начинает строительство в Египте центра по производству солнечных панелей мощностью 5 ГВт
25.12.2024, 15:35 CGTN: САР Макао открывает новую главу политики «Одна страна, две системы»
25.12.2024, 15:27 Компания Chery открывает крупнейший на Ближнем Востоке центр дистрибуции автомобильных запчастей
Инженеры вырастили оксидный полупроводник в один атом толщиной
Наука
Инженеры южнокорейского UNIST разработали новый метод изготовления тончайших оксидных полупроводников, толщиной в один атом. Это может открыть новые возможности для тонких, прозрачных и гибких электронных устройств, в том числе ультра-малых датчиков.
Новые ультратонкие оксидные полупроводники были создан группой ученых под руководством Zonghoon Lee. В своих экспериментах Zonghoon Lee и его коллегам удалось продемонстрировать формирование двумерного оксида цинка (ZnO), путем выращивания полупроводника на слое графена. Это самый тонкий гетероэпитаксиальный полупроводниковый оксид на однослойном графене, говорят авторы.
«Гибкие высокопроизводительные устройства крайне необходимы для обычной носимой электроники, которая привлекают внимание в последнее время. С помощью этого нового материала, мы можем достичь действительно высокопроизводительных гибких устройств», утверждают разработчики. Графен обладает превосходными свойствами проводимости, но он не может быть непосредственно использован в качестве альтернативы кремнию в полупроводниковой электронике, поскольку не имеет ширину запрещенной зоны. Запрещеннуая зона дает возможность запускать и останавливать поток электронов, которые несут электричество. В графене электроны двигаются случайным образом с постоянной скоростью, независимо от их энергии, и не могут быть остановлены.
Чтобы решить эту проблему, исследовательская группа решила вырастить монослой ZnO. «Гетероэпитаксиальные тончайшие 2D оксидные полупроводники на графене имеют потенциал для будущих приложений в оптоэлектронных устройствах, связанных с высокой оптической прозрачностью и гибкостью. Это исследование может привести к созданию нового класса 2D гетероструктур», добавил Lee.