Последние новости
15.11.2025, 13:30 Университет Косыгина представил авторские костюмы на выставке «Традиционная Россия» в Государственной Думе
15.11.2025, 11:22 В Пекине прошла конференция FOTON Global Partners 2026: глобальная стратегия по созданию коммерческого транспорта мирового класса
15.11.2025, 10:00 57-я Китайская международная мебельная выставка-ярмарка в Гуанчжоу представляет новую тему «CONNECT • CREATE» и обновленный фирменный образ
15.11.2025, 10:24 BingX запускает Listing FastTrack – ускоренную и прозрачную программу листинга токенов
15.11.2025, 10:16 SANY Heavy Industry: выручка за 3-й квартал увеличилась на 10,73%
15.11.2025, 10:24 Правильные дайджесты повышают готовность компаний к кризисам
15.11.2025, 10:35 Как сделать стильное свадебное приглашение в редакторе презентаций Р7 офис?
15.11.2025, 09:15 Сбер представил обновлённый раздел «Инвестиции» в СберБизнес
14.11.2025, 18:22 Наставники в профессии, спорте и жизни: кто нужен россиянам
14.11.2025, 17:25 Народные мотивы и современное звучание: музыкальный проект «Ой, то не вечер» о Степане Разине
Инженеры вырастили оксидный полупроводник в один атом толщиной
Наука
Инженеры южнокорейского UNIST разработали новый метод изготовления тончайших оксидных полупроводников, толщиной в один атом. Это может открыть новые возможности для тонких, прозрачных и гибких электронных устройств, в том числе ультра-малых датчиков.
Новые ультратонкие оксидные полупроводники были создан группой ученых под руководством Zonghoon Lee. В своих экспериментах Zonghoon Lee и его коллегам удалось продемонстрировать формирование двумерного оксида цинка (ZnO), путем выращивания полупроводника на слое графена. Это самый тонкий гетероэпитаксиальный полупроводниковый оксид на однослойном графене, говорят авторы.
«Гибкие высокопроизводительные устройства крайне необходимы для обычной носимой электроники, которая привлекают внимание в последнее время. С помощью этого нового материала, мы можем достичь действительно высокопроизводительных гибких устройств», утверждают разработчики. Графен обладает превосходными свойствами проводимости, но он не может быть непосредственно использован в качестве альтернативы кремнию в полупроводниковой электронике, поскольку не имеет ширину запрещенной зоны. Запрещеннуая зона дает возможность запускать и останавливать поток электронов, которые несут электричество. В графене электроны двигаются случайным образом с постоянной скоростью, независимо от их энергии, и не могут быть остановлены.
Чтобы решить эту проблему, исследовательская группа решила вырастить монослой ZnO. «Гетероэпитаксиальные тончайшие 2D оксидные полупроводники на графене имеют потенциал для будущих приложений в оптоэлектронных устройствах, связанных с высокой оптической прозрачностью и гибкостью. Это исследование может привести к созданию нового класса 2D гетероструктур», добавил Lee.