Последние новости
18.10.2025, 20:10 Военно-исторический фестиваль «Москва за нами!»
18.10.2025, 10:40 CGTN: Китай возглавляет глобальный импульс по достижению новой вехи в развитии женщин
17.10.2025, 21:36 Югра получила стратегическую связь с федеральными трассами через новый мост
17.10.2025, 18:33 Спецприз Фонд Юрия Лужкова получит студентка Елецкого университета
17.10.2025, 16:43 Почему нужен запрет изъятия за долги единственного жилья в ипотеке: рассказывает адвокат Владимир Постанюк
17.10.2025, 10:59 Его Королевское Высочество наследный принц объявил о проекте King Salman Gate в Мекке
17.10.2025, 09:17 Potique Hotel Nha Trang впервые удостоен титула «Vietnam’s Leading Lifestyle Hotel 2025» на премии World Travel Awards
17.10.2025, 09:15 Волонтеры из Vantage Foundation проявляют сострадание и заботятся о спасенных собаках в Laws for Paws Vietnam
17.10.2025, 09:26 Комментарий NABR к решению МСОП
17.10.2025, 09:56 Tech4Nature расширяет рамки на Всемирном конгрессе по охране природы МСОП
Инженеры вырастили оксидный полупроводник в один атом толщиной
Наука
Инженеры южнокорейского UNIST разработали новый метод изготовления тончайших оксидных полупроводников, толщиной в один атом. Это может открыть новые возможности для тонких, прозрачных и гибких электронных устройств, в том числе ультра-малых датчиков.
Новые ультратонкие оксидные полупроводники были создан группой ученых под руководством Zonghoon Lee. В своих экспериментах Zonghoon Lee и его коллегам удалось продемонстрировать формирование двумерного оксида цинка (ZnO), путем выращивания полупроводника на слое графена. Это самый тонкий гетероэпитаксиальный полупроводниковый оксид на однослойном графене, говорят авторы.
«Гибкие высокопроизводительные устройства крайне необходимы для обычной носимой электроники, которая привлекают внимание в последнее время. С помощью этого нового материала, мы можем достичь действительно высокопроизводительных гибких устройств», утверждают разработчики. Графен обладает превосходными свойствами проводимости, но он не может быть непосредственно использован в качестве альтернативы кремнию в полупроводниковой электронике, поскольку не имеет ширину запрещенной зоны. Запрещеннуая зона дает возможность запускать и останавливать поток электронов, которые несут электричество. В графене электроны двигаются случайным образом с постоянной скоростью, независимо от их энергии, и не могут быть остановлены.
Чтобы решить эту проблему, исследовательская группа решила вырастить монослой ZnO. «Гетероэпитаксиальные тончайшие 2D оксидные полупроводники на графене имеют потенциал для будущих приложений в оптоэлектронных устройствах, связанных с высокой оптической прозрачностью и гибкостью. Это исследование может привести к созданию нового класса 2D гетероструктур», добавил Lee.