Последние новости
21.07.2026, 13:24 Владимир Постанюк: Пенсионные баллы за время с детьми – справедливое признание труда каждой матери
20.07.2026, 18:36 Первый франчайзинговый офис KDL | Медскан открылся в Москве
20.07.2026, 17:57 Генпро: победа на Архитектурной премии Москвы подтверждает высокий уровень экспертизы
18.07.2026, 18:06 Около 650 заявок подали столичные НКО на конкурс грантов Мэра Москвы
17.07.2026, 18:56 Представители бизнеса подготовили более пяти тысяч предложений в рамках «Лета в Москве»
16.07.2026, 18:28 Жители столицы выбрали победителей конкурса «Москва. Традиции. Люди»
16.07.2026, 07:56 NABR: USFWS во второй раз отклонила петицию активистов о включении длиннохвостых макак в список в соответствии с Законом об исчезающих видах
16.07.2026, 06:19 Xinhua Silk Road — дополнительный объект 16-й китайско-российской культурной выставки открывается в Цзямусы, северо-восточная провинция Китая Хэйлунцзян
15.07.2026, 19:40 Коллективы из Китая, Индии и Чили выступят на Международном фестивале искусств «Вдохновение» на ВДНХ
14.07.2026, 16:10 Летние арт-павильоны с товарами столичных брендов посетили уже почти 200 тысяч человек
Инженеры вырастили оксидный полупроводник в один атом толщиной
Наука
Инженеры южнокорейского UNIST разработали новый метод изготовления тончайших оксидных полупроводников, толщиной в один атом. Это может открыть новые возможности для тонких, прозрачных и гибких электронных устройств, в том числе ультра-малых датчиков.
Новые ультратонкие оксидные полупроводники были создан группой ученых под руководством Zonghoon Lee. В своих экспериментах Zonghoon Lee и его коллегам удалось продемонстрировать формирование двумерного оксида цинка (ZnO), путем выращивания полупроводника на слое графена. Это самый тонкий гетероэпитаксиальный полупроводниковый оксид на однослойном графене, говорят авторы.
«Гибкие высокопроизводительные устройства крайне необходимы для обычной носимой электроники, которая привлекают внимание в последнее время. С помощью этого нового материала, мы можем достичь действительно высокопроизводительных гибких устройств», утверждают разработчики. Графен обладает превосходными свойствами проводимости, но он не может быть непосредственно использован в качестве альтернативы кремнию в полупроводниковой электронике, поскольку не имеет ширину запрещенной зоны. Запрещеннуая зона дает возможность запускать и останавливать поток электронов, которые несут электричество. В графене электроны двигаются случайным образом с постоянной скоростью, независимо от их энергии, и не могут быть остановлены.
Чтобы решить эту проблему, исследовательская группа решила вырастить монослой ZnO. «Гетероэпитаксиальные тончайшие 2D оксидные полупроводники на графене имеют потенциал для будущих приложений в оптоэлектронных устройствах, связанных с высокой оптической прозрачностью и гибкостью. Это исследование может привести к созданию нового класса 2D гетероструктур», добавил Lee.