Последние новости
23.08.2026, 15:44 Xinhua Silk Road — Представители африканских молодежных СМИ исследуют новые рубежи китайско-африканского сотрудничества в китайской провинции Хунань
22.08.2026, 14:29 Программа ко Дню флага России объединит более 200 столичных культурных площадок
21.08.2026, 15:33 От кудрявых пеликанов до лучистых черепах: более 300 детенышей родились в Московском зоопарке в этом году
21.08.2026, 09:44 Savaya Group представляет Zumana — новый пляжный клуб на курорте Кута на побережье Бали
21.08.2026, 08:25 Брокерские услуги в Турции запускает Freedom Holding Corp.
20.08.2026, 15:40 Ландшафтная выставка и экскурсии: в столице проведут IX Фестиваль исторических садов
19.08.2026, 17:44 Компания «Зверолэнд» запускает экосистему для владельцев домашних животных
19.08.2026, 16:01 От событийной афиши до подборки вакансий: порталу «Молодежь Москвы» уже три года
18.08.2026, 10:11 Порталом «Узнай Москву» пользуются туристы из разных регионов страны
17.08.2026, 10:28 Прием заявок на премию «Путеводная звезда» откроется 1 сентября
Инженеры вырастили оксидный полупроводник в один атом толщиной
Наука
Инженеры южнокорейского UNIST разработали новый метод изготовления тончайших оксидных полупроводников, толщиной в один атом. Это может открыть новые возможности для тонких, прозрачных и гибких электронных устройств, в том числе ультра-малых датчиков.
Новые ультратонкие оксидные полупроводники были создан группой ученых под руководством Zonghoon Lee. В своих экспериментах Zonghoon Lee и его коллегам удалось продемонстрировать формирование двумерного оксида цинка (ZnO), путем выращивания полупроводника на слое графена. Это самый тонкий гетероэпитаксиальный полупроводниковый оксид на однослойном графене, говорят авторы.
«Гибкие высокопроизводительные устройства крайне необходимы для обычной носимой электроники, которая привлекают внимание в последнее время. С помощью этого нового материала, мы можем достичь действительно высокопроизводительных гибких устройств», утверждают разработчики. Графен обладает превосходными свойствами проводимости, но он не может быть непосредственно использован в качестве альтернативы кремнию в полупроводниковой электронике, поскольку не имеет ширину запрещенной зоны. Запрещеннуая зона дает возможность запускать и останавливать поток электронов, которые несут электричество. В графене электроны двигаются случайным образом с постоянной скоростью, независимо от их энергии, и не могут быть остановлены.
Чтобы решить эту проблему, исследовательская группа решила вырастить монослой ZnO. «Гетероэпитаксиальные тончайшие 2D оксидные полупроводники на графене имеют потенциал для будущих приложений в оптоэлектронных устройствах, связанных с высокой оптической прозрачностью и гибкостью. Это исследование может привести к созданию нового класса 2D гетероструктур», добавил Lee.