Последние новости
29.11.2025, 21:11 Музей ароматов «Сюэлэй»: глобальная достопримечательность в мире парфюмерии и новый объект паломничества для ценителей ароматов
28.11.2025, 22:34 Перспективы развития строительной отрасли в условиях изменения экономической политики
28.11.2025, 16:12 Инженеры и работники KAMA TYRES получили награды премии «Человек труда»
28.11.2025, 15:17 Р7 команда вошла в карту унифицированных коммуникаций CNews Analytics
28.11.2025, 15:31 Smart City Expo Doha завершила формирование видения городской жизни на Ближнем Востоке
28.11.2025, 13:29 Наука без границ: как StereotaX объединяет химию, физику, биологию, космонавтику и искусственный интеллект
27.11.2025, 17:47 Конец охоты на ведьм? Администрация Трампа отозвала требование тестировать косметику на асбест
27.11.2025, 11:50 Сингапур — №1 в глобальном конкурсе талантов
25.11.2025, 19:22 Контрафактный табак: эксперты определили ключевые точки для роста эффективности борьбы в 2026 году
25.11.2025, 18:38 «Пластмассовые» помидоры: что скрывают горы немаркированных овощей
Инженеры вырастили оксидный полупроводник в один атом толщиной
Наука
Инженеры южнокорейского UNIST разработали новый метод изготовления тончайших оксидных полупроводников, толщиной в один атом. Это может открыть новые возможности для тонких, прозрачных и гибких электронных устройств, в том числе ультра-малых датчиков.
Новые ультратонкие оксидные полупроводники были создан группой ученых под руководством Zonghoon Lee. В своих экспериментах Zonghoon Lee и его коллегам удалось продемонстрировать формирование двумерного оксида цинка (ZnO), путем выращивания полупроводника на слое графена. Это самый тонкий гетероэпитаксиальный полупроводниковый оксид на однослойном графене, говорят авторы.
«Гибкие высокопроизводительные устройства крайне необходимы для обычной носимой электроники, которая привлекают внимание в последнее время. С помощью этого нового материала, мы можем достичь действительно высокопроизводительных гибких устройств», утверждают разработчики. Графен обладает превосходными свойствами проводимости, но он не может быть непосредственно использован в качестве альтернативы кремнию в полупроводниковой электронике, поскольку не имеет ширину запрещенной зоны. Запрещеннуая зона дает возможность запускать и останавливать поток электронов, которые несут электричество. В графене электроны двигаются случайным образом с постоянной скоростью, независимо от их энергии, и не могут быть остановлены.
Чтобы решить эту проблему, исследовательская группа решила вырастить монослой ZnO. «Гетероэпитаксиальные тончайшие 2D оксидные полупроводники на графене имеют потенциал для будущих приложений в оптоэлектронных устройствах, связанных с высокой оптической прозрачностью и гибкостью. Это исследование может привести к созданию нового класса 2D гетероструктур», добавил Lee.