Последние новости
27.12.2025, 18:31 Цвет Pantone 2026: профессиональный взгляд на Cloud Dancer
27.12.2025, 10:45 CGTN: почему борьба с коррупцией в Китае не прекращается
26.12.2025, 18:48 CGTN: самая жаркая зимняя вечеринка в Китае
25.12.2025, 18:43 В Торгово-промышленной палате России прошел международный круглый стол по итогам 2025 года, организованный «Мнениями» и «Пиар Групп»
25.12.2025, 18:52 Прогнозы и итоги рынка недвижимости 2025 г. от аналитиков CORE.XP
24.12.2025, 21:27 Яркий старт года: ICON SKIN получил награду за инновационный продукт
24.12.2025, 20:41 ESG-практики «Нижнекамскшины» получили оценку рейтинговой группы RAEX
24.12.2025, 18:36 Кулинарное шоу Midea и Александр Белькович помогают сформировать полезные привычки на кухне
24.12.2025, 11:13 В рамках Московской недели интерьера Яна Рудковская показала авторскую мебель из стекла
23.12.2025, 19:50 Главную награду премии «Врач с большой буквы» вручили лучшим терапевтам и педиатрам страны
Инженеры вырастили оксидный полупроводник в один атом толщиной
Наука
Инженеры южнокорейского UNIST разработали новый метод изготовления тончайших оксидных полупроводников, толщиной в один атом. Это может открыть новые возможности для тонких, прозрачных и гибких электронных устройств, в том числе ультра-малых датчиков.
Новые ультратонкие оксидные полупроводники были создан группой ученых под руководством Zonghoon Lee. В своих экспериментах Zonghoon Lee и его коллегам удалось продемонстрировать формирование двумерного оксида цинка (ZnO), путем выращивания полупроводника на слое графена. Это самый тонкий гетероэпитаксиальный полупроводниковый оксид на однослойном графене, говорят авторы.
«Гибкие высокопроизводительные устройства крайне необходимы для обычной носимой электроники, которая привлекают внимание в последнее время. С помощью этого нового материала, мы можем достичь действительно высокопроизводительных гибких устройств», утверждают разработчики. Графен обладает превосходными свойствами проводимости, но он не может быть непосредственно использован в качестве альтернативы кремнию в полупроводниковой электронике, поскольку не имеет ширину запрещенной зоны. Запрещеннуая зона дает возможность запускать и останавливать поток электронов, которые несут электричество. В графене электроны двигаются случайным образом с постоянной скоростью, независимо от их энергии, и не могут быть остановлены.
Чтобы решить эту проблему, исследовательская группа решила вырастить монослой ZnO. «Гетероэпитаксиальные тончайшие 2D оксидные полупроводники на графене имеют потенциал для будущих приложений в оптоэлектронных устройствах, связанных с высокой оптической прозрачностью и гибкостью. Это исследование может привести к созданию нового класса 2D гетероструктур», добавил Lee.