$97.55 €106.14

Последние новости

03.11.2024, 21:09 Мебельная выставка CIFF Guangzhou пройдет в марте 2025 года

03.11.2024, 20:49 Tequila Don Julio организовала торжества в честь дня мёртвых по всему миру

02.11.2024, 13:20 В первый день продаж в комплексе Binghatti Skyrise было реализовано 50% всех единиц недвижимости

01.11.2024, 20:14 России нужны современные верфи на Дальнем Востоке

01.11.2024, 20:38 Hisense стала официальным партнером чемпионата FIFA Club World Cup 2025 

01.11.2024, 20:14 Sceye с НАСА и Геологической службой США решают проблему изменения климата из стратосферы 

01.11.2024, 20:23 Фонд Vantage Foundation освещает жизнь в сельских районах Вьетнама 

01.11.2024, 19:07 Nakheel и DEWA будут строить подстанции на Пальме Джебель-Али на сумму AED 270 миллионов 

01.11.2024, 16:30 АЗС «Газпромнефть»: автолюбители предпочитают капучино

31.10.2024, 23:32 Компания «Мария» создала кухню по индивидуальному дизайн-проекту для образовательного центра им. М. М. Расковой

ВСЕ НОВОСТИ

Инженеры вырастили оксидный полупроводник в один атом толщиной

Наука

Инженеры южнокорейского UNIST разработали новый метод изготовления тончайших оксидных полупроводников, толщиной в один атом. Это может открыть новые возможности для тонких, прозрачных и гибких электронных устройств, в том числе ультра-малых датчиков.

Новые ультратонкие оксидные полупроводники были создан группой ученых под руководством Zonghoon Lee. В своих экспериментах Zonghoon Lee и его коллегам удалось продемонстрировать формирование двумерного оксида цинка (ZnO), путем выращивания полупроводника на слое графена. Это самый тонкий гетероэпитаксиальный полупроводниковый оксид на однослойном графене, говорят авторы.

«Гибкие высокопроизводительные устройства крайне необходимы для обычной носимой электроники, которая привлекают внимание в последнее время. С помощью этого нового материала, мы можем достичь действительно высокопроизводительных гибких устройств», утверждают разработчики. Графен обладает превосходными свойствами проводимости, но он не может быть непосредственно использован в качестве альтернативы кремнию в полупроводниковой электронике, поскольку не имеет ширину запрещенной зоны. Запрещеннуая зона дает возможность запускать и останавливать поток электронов, которые несут электричество. В графене электроны двигаются случайным образом с постоянной скоростью, независимо от их энергии, и не могут быть остановлены.

Чтобы решить эту проблему, исследовательская группа решила вырастить монослой ZnO. «Гетероэпитаксиальные тончайшие 2D оксидные полупроводники на графене имеют потенциал для будущих приложений в оптоэлектронных устройствах, связанных с высокой оптической прозрачностью и гибкостью. Это исследование может привести к созданию нового класса 2D гетероструктур», добавил Lee.