Последние новости
25.03.2026, 20:22 Habitat for Humanity запускает кампанию «Let’s Open the Door», чтобы повысить осведомленность о глобальных потребностях в жилье
25.03.2026, 19:42 Республика Дагестан вошла в Книгу рекордов России как самый многоязычный регион
24.03.2026, 15:03 Aquamania Jungle Park открылся в Rixos Radamis Sharm El Sheikh
23.03.2026, 18:44 Рынок недвижимости Дубая в 2026 году: как частному инвестору ориентироваться в условиях роста предложения
22.03.2026, 19:33 Три тренда корпоративной культуры, которые определят успех бизнеса в 2026 году
21.03.2026, 09:22 Творческая «жилка»: в ТПП РФ обсудили потенциал креативной экономики
20.03.2026, 19:19 Весенние перепады температуры и здоровье голоса у детей
20.03.2026, 16:42 Частью мероприятий к 90-летию со дня рождения Юрия Лужкова стал фестиваль «АртПром»
20.03.2026, 15:58 Лауреаты премии Юрия Лужкова «Молодой инноватор» рассказали о своих разработках на «АртПроме»
20.03.2026, 09:27 «Почему даже дорогие квартиры неудобны для жизни»: что показала конференция Roomtourist «Дизайн будущего — 2026»
Инженеры вырастили оксидный полупроводник в один атом толщиной
Наука
Инженеры южнокорейского UNIST разработали новый метод изготовления тончайших оксидных полупроводников, толщиной в один атом. Это может открыть новые возможности для тонких, прозрачных и гибких электронных устройств, в том числе ультра-малых датчиков.
Новые ультратонкие оксидные полупроводники были создан группой ученых под руководством Zonghoon Lee. В своих экспериментах Zonghoon Lee и его коллегам удалось продемонстрировать формирование двумерного оксида цинка (ZnO), путем выращивания полупроводника на слое графена. Это самый тонкий гетероэпитаксиальный полупроводниковый оксид на однослойном графене, говорят авторы.
«Гибкие высокопроизводительные устройства крайне необходимы для обычной носимой электроники, которая привлекают внимание в последнее время. С помощью этого нового материала, мы можем достичь действительно высокопроизводительных гибких устройств», утверждают разработчики. Графен обладает превосходными свойствами проводимости, но он не может быть непосредственно использован в качестве альтернативы кремнию в полупроводниковой электронике, поскольку не имеет ширину запрещенной зоны. Запрещеннуая зона дает возможность запускать и останавливать поток электронов, которые несут электричество. В графене электроны двигаются случайным образом с постоянной скоростью, независимо от их энергии, и не могут быть остановлены.
Чтобы решить эту проблему, исследовательская группа решила вырастить монослой ZnO. «Гетероэпитаксиальные тончайшие 2D оксидные полупроводники на графене имеют потенциал для будущих приложений в оптоэлектронных устройствах, связанных с высокой оптической прозрачностью и гибкостью. Это исследование может привести к созданию нового класса 2D гетероструктур», добавил Lee.