Последние новости
20.04.2024, 10:18 CoinEx стала спонсором Token2049 Dubai
20.04.2024, 09:46 Компания Kohler Co. вышла в финал конкурса FuoriSalone Award Миланской недели дизайна
20.04.2024, 09:43 Huawei и ЮНЕСКО расширили проект по открытию школ в новых странах
20.04.2024, 09:27 Shanghai Electric представил новые решения на Всемирном саммите по энергетике будущего 2024 в Абу-Даби
18.04.2024, 17:59 Выставка достижений народного хозяйства (ВДНХ) отпраздновала “День Космонавтики”
18.04.2024, 16:18 Фестиваль-премия трансформационных игр и практик LEVEL 2.0 собрал экспертов со всего мира в арт-пространстве «Графит»
18.04.2024, 09:14 В Москве пройдет конференция по вопросам развития городской среды «А если с детьми?»
17.04.2024, 17:46 Разработчики раскрыли детали обновления «Р7-Органайзер ПРО»
16.04.2024, 16:46 В России отмечают международный День Хризотила
13.04.2024, 10:57 Компания Cognizant выделила 70 миллионов долларов на развитие сообществ по всему миру
Инженеры вырастили оксидный полупроводник в один атом толщиной
Наука
Инженеры южнокорейского UNIST разработали новый метод изготовления тончайших оксидных полупроводников, толщиной в один атом. Это может открыть новые возможности для тонких, прозрачных и гибких электронных устройств, в том числе ультра-малых датчиков.
Новые ультратонкие оксидные полупроводники были создан группой ученых под руководством Zonghoon Lee. В своих экспериментах Zonghoon Lee и его коллегам удалось продемонстрировать формирование двумерного оксида цинка (ZnO), путем выращивания полупроводника на слое графена. Это самый тонкий гетероэпитаксиальный полупроводниковый оксид на однослойном графене, говорят авторы.
«Гибкие высокопроизводительные устройства крайне необходимы для обычной носимой электроники, которая привлекают внимание в последнее время. С помощью этого нового материала, мы можем достичь действительно высокопроизводительных гибких устройств», утверждают разработчики. Графен обладает превосходными свойствами проводимости, но он не может быть непосредственно использован в качестве альтернативы кремнию в полупроводниковой электронике, поскольку не имеет ширину запрещенной зоны. Запрещеннуая зона дает возможность запускать и останавливать поток электронов, которые несут электричество. В графене электроны двигаются случайным образом с постоянной скоростью, независимо от их энергии, и не могут быть остановлены.
Чтобы решить эту проблему, исследовательская группа решила вырастить монослой ZnO. «Гетероэпитаксиальные тончайшие 2D оксидные полупроводники на графене имеют потенциал для будущих приложений в оптоэлектронных устройствах, связанных с высокой оптической прозрачностью и гибкостью. Это исследование может привести к созданию нового класса 2D гетероструктур», добавил Lee.