Последние новости
10.05.2025, 12:08 Решение CURECA( компании Seegene способно в корне изменить полную автоматизацию тестирования методом ПЦР
10.05.2025, 12:44 Годы культуры Китая и России — мост для сближения народов
10.05.2025, 11:44 Партнерское соглашение NAVEE и Dott для внедрения скутеров V1 Pro нового поколения, коренным образом меняющих городскую мобильность
10.05.2025, 11:18 Kaiyi Auto представила свою новую стратегию развития на мировом рынке
07.05.2025, 20:40 История одной семьи в годы войны оживет на фасаде московской Мэрии
06.05.2025, 20:18 Когда история пахнет хлебом: в Москве состоялась премьера фильма «Корочка хлеба»
06.05.2025, 20:13 CGTN — Как дипломатия первых лиц государств дает новый импульс российско-китайским отношениям?
03.05.2025, 11:57 Инновационный лидер в области устойчивой моды Лиз Хершфилд назначена исполнительным директором Cotton Council International (CCI)
02.05.2025, 11:58 CGTN: Как Китай ускоряет развитие искусственного интеллекта и продвигает высококачественное сотрудничество со странами Глобального Юга
01.05.2025, 15:36 Искусственный интеллект и российские банки: как ИИ решения трансформируют финансовый сектор в 2025 году
Инженеры вырастили оксидный полупроводник в один атом толщиной
Наука
Инженеры южнокорейского UNIST разработали новый метод изготовления тончайших оксидных полупроводников, толщиной в один атом. Это может открыть новые возможности для тонких, прозрачных и гибких электронных устройств, в том числе ультра-малых датчиков.
Новые ультратонкие оксидные полупроводники были создан группой ученых под руководством Zonghoon Lee. В своих экспериментах Zonghoon Lee и его коллегам удалось продемонстрировать формирование двумерного оксида цинка (ZnO), путем выращивания полупроводника на слое графена. Это самый тонкий гетероэпитаксиальный полупроводниковый оксид на однослойном графене, говорят авторы.
«Гибкие высокопроизводительные устройства крайне необходимы для обычной носимой электроники, которая привлекают внимание в последнее время. С помощью этого нового материала, мы можем достичь действительно высокопроизводительных гибких устройств», утверждают разработчики. Графен обладает превосходными свойствами проводимости, но он не может быть непосредственно использован в качестве альтернативы кремнию в полупроводниковой электронике, поскольку не имеет ширину запрещенной зоны. Запрещеннуая зона дает возможность запускать и останавливать поток электронов, которые несут электричество. В графене электроны двигаются случайным образом с постоянной скоростью, независимо от их энергии, и не могут быть остановлены.
Чтобы решить эту проблему, исследовательская группа решила вырастить монослой ZnO. «Гетероэпитаксиальные тончайшие 2D оксидные полупроводники на графене имеют потенциал для будущих приложений в оптоэлектронных устройствах, связанных с высокой оптической прозрачностью и гибкостью. Это исследование может привести к созданию нового класса 2D гетероструктур», добавил Lee.