Последние новости
16.09.2025, 17:10 Фонд Юрия Лужкова наградит самого юного победителя конкурса «Лучший вопрос для Всероссийского экономического диктанта»
16.09.2025, 16:24 Компания UTribe представила постулаты отчета «Gold for All Report» — «Золото для всех»
16.09.2025, 10:31 Сбер вывел на биржу структурные облигации в привязке к криптовалюте с защитой капитала
16.09.2025, 10:58 Розничный бизнес лидирует по зрелости применения ИИ в российских банках
16.09.2025, 09:47 Состоялось заседание рабочей группы по совершенствованию кадрового обеспечения креативных индустрий
16.09.2025, 08:30 Как сайты госучреждений становятся «ближе» к пользователям: цифровая трансформация Кузбасса
15.09.2025, 16:52 Роль подвижных заданий в формировании иноязычных компетенций у студентов вузов
15.09.2025, 12:17 40% до 30 лет: молодежь меняет рынок труда логистики – но дефицит кадров усиливается
15.09.2025, 12:38 Антиквариат в безопасности: от каких устаревших практик бизнес должен отказаться уже в этом году
15.09.2025, 11:11 От табу к доверию: 10 лет работы компании на рынке банкротства физических лиц
Инженеры вырастили оксидный полупроводник в один атом толщиной
Наука
Инженеры южнокорейского UNIST разработали новый метод изготовления тончайших оксидных полупроводников, толщиной в один атом. Это может открыть новые возможности для тонких, прозрачных и гибких электронных устройств, в том числе ультра-малых датчиков.
Новые ультратонкие оксидные полупроводники были создан группой ученых под руководством Zonghoon Lee. В своих экспериментах Zonghoon Lee и его коллегам удалось продемонстрировать формирование двумерного оксида цинка (ZnO), путем выращивания полупроводника на слое графена. Это самый тонкий гетероэпитаксиальный полупроводниковый оксид на однослойном графене, говорят авторы.
«Гибкие высокопроизводительные устройства крайне необходимы для обычной носимой электроники, которая привлекают внимание в последнее время. С помощью этого нового материала, мы можем достичь действительно высокопроизводительных гибких устройств», утверждают разработчики. Графен обладает превосходными свойствами проводимости, но он не может быть непосредственно использован в качестве альтернативы кремнию в полупроводниковой электронике, поскольку не имеет ширину запрещенной зоны. Запрещеннуая зона дает возможность запускать и останавливать поток электронов, которые несут электричество. В графене электроны двигаются случайным образом с постоянной скоростью, независимо от их энергии, и не могут быть остановлены.
Чтобы решить эту проблему, исследовательская группа решила вырастить монослой ZnO. «Гетероэпитаксиальные тончайшие 2D оксидные полупроводники на графене имеют потенциал для будущих приложений в оптоэлектронных устройствах, связанных с высокой оптической прозрачностью и гибкостью. Это исследование может привести к созданию нового класса 2D гетероструктур», добавил Lee.