Последние новости
12.01.2026, 13:22 Возможностями платформы «Город идей» воспользовались более 650 тысяч жителей столицы
12.01.2026, 11:26 CIFF Гуанчжоу 2026: выставка мебели для дома продемонстрирует глобальные инновации в области мебели и связи цепочек поставок
11.01.2026, 12:45 От киноплатформы до ИТ-стажировки: какие проекты Москвы получили премии в сфере цифровизации
10.01.2026, 12:04 В 2025 году площадки проекта «Питомцы в Москве» открыли в 23 районах столицы
09.01.2026, 12:29 «Ночь в музее» и «Книга в городе»: в столице назвали крупнейшие культурные события года
04.01.2026, 20:57 CGTN: Экстраординарная навигация: уверенное движение Китая вперед
04.01.2026, 19:14 Ольга Толкачева объяснила, в какие месяцы 2026 года отпуск будет самым выгодным
03.01.2026, 18:41 «Театральный бульвар»: в Москве рассказали об одном из главных культурных событий 2025 года
03.01.2026, 08:29 CGTN: О внутриполитической повестке Китая: основные приоритеты инспекций и встреч Си Цзиньпина в 2025 году
03.01.2026, 08:25 Деревенская ярмарка сладостей начинается в Дуцзянъяне, Сычуань
Инженеры вырастили оксидный полупроводник в один атом толщиной
Наука
Инженеры южнокорейского UNIST разработали новый метод изготовления тончайших оксидных полупроводников, толщиной в один атом. Это может открыть новые возможности для тонких, прозрачных и гибких электронных устройств, в том числе ультра-малых датчиков.
Новые ультратонкие оксидные полупроводники были создан группой ученых под руководством Zonghoon Lee. В своих экспериментах Zonghoon Lee и его коллегам удалось продемонстрировать формирование двумерного оксида цинка (ZnO), путем выращивания полупроводника на слое графена. Это самый тонкий гетероэпитаксиальный полупроводниковый оксид на однослойном графене, говорят авторы.
«Гибкие высокопроизводительные устройства крайне необходимы для обычной носимой электроники, которая привлекают внимание в последнее время. С помощью этого нового материала, мы можем достичь действительно высокопроизводительных гибких устройств», утверждают разработчики. Графен обладает превосходными свойствами проводимости, но он не может быть непосредственно использован в качестве альтернативы кремнию в полупроводниковой электронике, поскольку не имеет ширину запрещенной зоны. Запрещеннуая зона дает возможность запускать и останавливать поток электронов, которые несут электричество. В графене электроны двигаются случайным образом с постоянной скоростью, независимо от их энергии, и не могут быть остановлены.
Чтобы решить эту проблему, исследовательская группа решила вырастить монослой ZnO. «Гетероэпитаксиальные тончайшие 2D оксидные полупроводники на графене имеют потенциал для будущих приложений в оптоэлектронных устройствах, связанных с высокой оптической прозрачностью и гибкостью. Это исследование может привести к созданию нового класса 2D гетероструктур», добавил Lee.