Последние новости
19.09.2026, 20:45 Lactips и SmartSolve объявили о глобальном стратегическом партнерстве в области беспластиковой упаковки
19.09.2026, 19:32 Huawei представляет обновленную сеть Stellar AI для обеспечения безопасного и интеллектуального подключения к агентскому миру
19.09.2026, 19:04 Когда прогноз — это позиция: Bybit представляет Bybit Odds для простой торговли на основе ценовых ожиданий
18.09.2026, 23:57 Космос стал частью юбилейного года Юрия Лужкова
18.09.2026, 19:31 Mikhail Danilov’s Sochi Legacy Highlights China-Russia Tourism Synergy and Domestic Growth
18.09.2026, 10:38 Freedom Holding Corp. станет генеральным партнером матча за звание чемпиона мира ФИДЕ 2026
17.09.2026, 14:26 ВТБ Инфраструктурный Холдинг оценил перспективы механизмов государственно-частного партнерства
16.09.2026, 23:27 Наведение мостов между цивилизациями через объектив: новый документальный фильм SZMG «Мир в цвету»
15.09.2026, 23:56 Более 2 тыс. поручений за 10 дней: доля принятых электронных документов выросла с 16% до 80%
15.09.2026, 16:32 Miral инвестирует 12 миллиардов дирхамов в следующий этап развития острова Яс
Инженеры вырастили оксидный полупроводник в один атом толщиной
Наука
Инженеры южнокорейского UNIST разработали новый метод изготовления тончайших оксидных полупроводников, толщиной в один атом. Это может открыть новые возможности для тонких, прозрачных и гибких электронных устройств, в том числе ультра-малых датчиков.
Новые ультратонкие оксидные полупроводники были создан группой ученых под руководством Zonghoon Lee. В своих экспериментах Zonghoon Lee и его коллегам удалось продемонстрировать формирование двумерного оксида цинка (ZnO), путем выращивания полупроводника на слое графена. Это самый тонкий гетероэпитаксиальный полупроводниковый оксид на однослойном графене, говорят авторы.
«Гибкие высокопроизводительные устройства крайне необходимы для обычной носимой электроники, которая привлекают внимание в последнее время. С помощью этого нового материала, мы можем достичь действительно высокопроизводительных гибких устройств», утверждают разработчики. Графен обладает превосходными свойствами проводимости, но он не может быть непосредственно использован в качестве альтернативы кремнию в полупроводниковой электронике, поскольку не имеет ширину запрещенной зоны. Запрещеннуая зона дает возможность запускать и останавливать поток электронов, которые несут электричество. В графене электроны двигаются случайным образом с постоянной скоростью, независимо от их энергии, и не могут быть остановлены.
Чтобы решить эту проблему, исследовательская группа решила вырастить монослой ZnO. «Гетероэпитаксиальные тончайшие 2D оксидные полупроводники на графене имеют потенциал для будущих приложений в оптоэлектронных устройствах, связанных с высокой оптической прозрачностью и гибкостью. Это исследование может привести к созданию нового класса 2D гетероструктур», добавил Lee.