Последние новости
21.10.2026, 16:03 Открылась ежегодная конференция Financial Street Forum
21.10.2026, 16:59 Культурное наследие провинции Шаньси оказалось в центре внимания в Женеве
17.10.2026, 20:41 Classic Fusion Tributo: триумфальное возвращение к оригинальному дизайну 1980 года
17.10.2026, 19:06 Переосмысление ценности сетей для нового роста в эпоху искусственного интеллекта
16.10.2026, 21:30 В Петербурге на Роспроме представят точки промышленного роста
11.10.2026, 18:14 На рынке Москвы появился новый нетворкинг-клуб
09.10.2026, 18:00 Анна Смоляная, основатель компании Diovis Eco, о том, как изменится экологический инжиниринг в России
09.10.2026, 18:40 УК «САМПА» провела экспертную дискуссию «Бизнес.Диалоги» в ТРЦ «ИЮНЬ» в Череповце
07.10.2026, 17:03 Врач рассказал, что приготовить на ужин за 15 минут, когда нет времени
07.10.2026, 17:10 От совместимости к синергии: Р7 и Группа Астра подписали соглашение на ИТ-Форуме «Цифровые решения»
Инженеры вырастили оксидный полупроводник в один атом толщиной
Наука
Инженеры южнокорейского UNIST разработали новый метод изготовления тончайших оксидных полупроводников, толщиной в один атом. Это может открыть новые возможности для тонких, прозрачных и гибких электронных устройств, в том числе ультра-малых датчиков.
Новые ультратонкие оксидные полупроводники были создан группой ученых под руководством Zonghoon Lee. В своих экспериментах Zonghoon Lee и его коллегам удалось продемонстрировать формирование двумерного оксида цинка (ZnO), путем выращивания полупроводника на слое графена. Это самый тонкий гетероэпитаксиальный полупроводниковый оксид на однослойном графене, говорят авторы.
«Гибкие высокопроизводительные устройства крайне необходимы для обычной носимой электроники, которая привлекают внимание в последнее время. С помощью этого нового материала, мы можем достичь действительно высокопроизводительных гибких устройств», утверждают разработчики. Графен обладает превосходными свойствами проводимости, но он не может быть непосредственно использован в качестве альтернативы кремнию в полупроводниковой электронике, поскольку не имеет ширину запрещенной зоны. Запрещеннуая зона дает возможность запускать и останавливать поток электронов, которые несут электричество. В графене электроны двигаются случайным образом с постоянной скоростью, независимо от их энергии, и не могут быть остановлены.
Чтобы решить эту проблему, исследовательская группа решила вырастить монослой ZnO. «Гетероэпитаксиальные тончайшие 2D оксидные полупроводники на графене имеют потенциал для будущих приложений в оптоэлектронных устройствах, связанных с высокой оптической прозрачностью и гибкостью. Это исследование может привести к созданию нового класса 2D гетероструктур», добавил Lee.