Британцы осуществили прорыв в кремниевой фотонике

07.03.2016, 16:59 Наука

Группа исследователей Университета Кардиффа продемонстрировала первый практический лазер, выращенный непосредственно на кремниевой подложке.

Один из авторов разработки Huiyun Liu уверен, что технологический прорыв может привести к сверхбыстрой связи между компьютерными чипами и электронными система преобразованиям в широком спектре отраслей, от коммуникаций и здравоохранения до выработки энергии.

Кремний является наиболее широко используемым материалом для изготовления электронных устройств и используется для изготовления полупроводниковых приборов, которые встроены в практически каждое устройство и часть технологии, которые мы используем в нашей повседневной жизни, от смартфонов и компьютеров до спутниковой связи и GPS.

Несмотря на то, что трудно совместить полупроводниковый лазер, идеальный источник света, с кремнием, британским ученым удалось преодолеть эти трудности и успешно интегрировать лазер, непосредственно выращенный на кремниевой подложке. Профессор Liu пояснил, что длина волны лазера 1300 нм и он работать при температурах до 120 °С и в течение до 100000 часов.