Последние новости
24.01.2025, 22:26 Softline и Юзтех заключили стратегическое партнерство для продвижения платформы USEBUS
24.01.2025, 20:50 Профсоюз строителей поддержал российский хризотил
23.01.2025, 21:48 Стратегия роста для IT-специалистов: как построить планы на год
22.01.2025, 21:29 ICT.Moscow улучшил функциональность своего проекта для анализа публикаций в области кибербезопасности
22.01.2025, 19:57 Всероссийский «Физтех-Форум-2025»: инновации, образование и будущее технологий
22.01.2025, 17:47 Журнал «Тhe Retail Finance» подвел итоги ХVIII Ежегодной премии RETAIL FINANCE AWARDS
21.01.2025, 16:47 «Коммерсантъ»: «Тольяттиазот» получил комплексное экологическое разрешение
19.01.2025, 17:01 Исследование мировых технологий умного сельского хозяйства в центре внимания на Всемирной научно-технической выставке по ирригации
18.01.2025, 18:18 Грандиозный концерт в честь Дня защитника Отечества «НАШИ. За Россию-матушку!» объединит всю страну
18.01.2025, 18:06 Интерактивные стримы о районах Москвы пройдут в рамках интеллектуального марафона
Инженеры вырастили оксидный полупроводник в один атом толщиной
Наука
Инженеры южнокорейского UNIST разработали новый метод изготовления тончайших оксидных полупроводников, толщиной в один атом. Это может открыть новые возможности для тонких, прозрачных и гибких электронных устройств, в том числе ультра-малых датчиков.
Новые ультратонкие оксидные полупроводники были создан группой ученых под руководством Zonghoon Lee. В своих экспериментах Zonghoon Lee и его коллегам удалось продемонстрировать формирование двумерного оксида цинка (ZnO), путем выращивания полупроводника на слое графена. Это самый тонкий гетероэпитаксиальный полупроводниковый оксид на однослойном графене, говорят авторы.
«Гибкие высокопроизводительные устройства крайне необходимы для обычной носимой электроники, которая привлекают внимание в последнее время. С помощью этого нового материала, мы можем достичь действительно высокопроизводительных гибких устройств», утверждают разработчики. Графен обладает превосходными свойствами проводимости, но он не может быть непосредственно использован в качестве альтернативы кремнию в полупроводниковой электронике, поскольку не имеет ширину запрещенной зоны. Запрещеннуая зона дает возможность запускать и останавливать поток электронов, которые несут электричество. В графене электроны двигаются случайным образом с постоянной скоростью, независимо от их энергии, и не могут быть остановлены.
Чтобы решить эту проблему, исследовательская группа решила вырастить монослой ZnO. «Гетероэпитаксиальные тончайшие 2D оксидные полупроводники на графене имеют потенциал для будущих приложений в оптоэлектронных устройствах, связанных с высокой оптической прозрачностью и гибкостью. Это исследование может привести к созданию нового класса 2D гетероструктур», добавил Lee.