$77.9 €91.5

Последние новости

10.07.2025, 21:54 Импортозамещение, которое никак не складывается

09.07.2025, 18:29 Технология отображения Hisense обеспечит просмотр повторов VAR на Клубном чемпионате мира по футболу FIFA Club World Cup 2025 

09.07.2025, 18:08 В Ханчжоу запланировано открытие выставки «Зеленые мили: Степной шелковый путь в X–XII веках» 

09.07.2025, 18:19 Hilco Industrial заключила контракт с японской JFE Steel Corporation для продажи производственных сталепрокатных линий с комбината EAST JAPAN Works    

09.07.2025, 17:33 «Вертолеты России» сделали ставку на молодые кадры на форуме «Инженеры будущего»

09.07.2025, 10:53 Финансист Алексей Родин: Только объединив усилия мы сможем противостоять мошенникам

08.07.2025, 18:49 Эффективные механизмы поддержки семей: опыт сотрудничества науки и бизнеса

08.07.2025, 14:53 В Парк-отеле Орловский торжественно открыли скульптуру и фонтан Графа Орлова

07.07.2025, 21:53 Fix Price провел экопоход по природному памятнику — Царёву Кургану

04.07.2025, 16:28 Планета Лайка расширила линейку продукции для ухода за домашними животными

ВСЕ НОВОСТИ

Графеновый фототранзистор для оптических технологий создан учеными

Наука

В Университете Пердью решили проблему, которая сдерживала развитие высокочувствительных оптических устройств из графена.

Графен, представляющий собой очень тонкий слой углерода, является перспективным для оптоэлектроники, и инженеры пытаются разработать фотоприемники на его основе, что имеет решающее значение для многих технологий. Однако типичные фотоприемники из графена имеют небольшую площадь, которая чувствительна к свету, что ограничивает их производительность.

Исследователи под руководством Yong Chen решили эту проблему, путем объединения углеродного материала с большой карбидной кремниевой подложкой, создав графеновые полевые транзисторы или GFETs, которые могут быть активированы светом. Высокоэффективные фотоприемники могут быть полезны для многих приложений, в том числе высокоскоростных коммуникаций и сверхчувствительных камер для астрофизики, а также носимой электроники. Массивы на основе транзисторов из графена также помогут в разработке дисплеев высокого разрешения.

«Наш подход позволяет сделать очень чувствительную камеру , где у вас есть относительно небольшое количество пикселей , но она будет иметь высокое разрешение», говорит соавтор Igor Jovanovic.

Результаты показывают, что устройство реагирует на свет, даже когда карбид кремния освещается на больших расстояниях от графена. Производительность может быть увеличена в 10 раз в зависимости от того, какая часть материала освещена. Новый фототранзистор является «позиционно-чувствительным», означая, что он может определить место, откуда исходит свет, что очень важно для приложений визуализации и детекторов. Кроме того, световые детекторы могут быть использованы в устройствах, называемых сцинтилляторами, которые используются для обнаружения излучения.