Последние новости
22.07.2026, 22:50 TCL поздравляет национальную сборную Испании по футболу с исторической победой в чемпионате мира
21.07.2026, 13:24 Владимир Постанюк: Пенсионные баллы за время с детьми – справедливое признание труда каждой матери
20.07.2026, 18:36 Первый франчайзинговый офис KDL | Медскан открылся в Москве
20.07.2026, 17:57 Генпро: победа на Архитектурной премии Москвы подтверждает высокий уровень экспертизы
18.07.2026, 18:06 Около 650 заявок подали столичные НКО на конкурс грантов Мэра Москвы
17.07.2026, 18:56 Представители бизнеса подготовили более пяти тысяч предложений в рамках «Лета в Москве»
16.07.2026, 18:28 Жители столицы выбрали победителей конкурса «Москва. Традиции. Люди»
16.07.2026, 07:56 NABR: USFWS во второй раз отклонила петицию активистов о включении длиннохвостых макак в список в соответствии с Законом об исчезающих видах
16.07.2026, 06:19 Xinhua Silk Road — дополнительный объект 16-й китайско-российской культурной выставки открывается в Цзямусы, северо-восточная провинция Китая Хэйлунцзян
15.07.2026, 19:40 Коллективы из Китая, Индии и Чили выступят на Международном фестивале искусств «Вдохновение» на ВДНХ
Инженеры нашли новый метод выращивания графеновых лент для электроники
Наука
Инженеры Университета Висконсин-Мэдисон обнаружили способ выращивания графеновых наноленты с желаемыми полупроводниковыми свойствами непосредственно на обычной полупроводниковой пластине из германия.
Это достижение может позволить производителям использовать графеновые наноленты в гибридных интегральных схемах, способных значительно повысить производительность электронных устройств следующего поколения. Технология может пригодиться в промышленных и военных приложениях, таких как датчики, которые обнаруживают специфические химические и биологические виды и фотонных устройствах, которые манипулируют светом.
Один из авторов открытия Michael Arnold говорит, что их технология легко может быть расширена для массового производства и совместима с инфраструктурой, используемой в обработке полупроводников. Графен, лист из углерода, в один атом толщиной, проводит электричество и рассеивает тепло более эффективно, чем кремний, материал, наиболее часто применяемый в современных компьютерных чипах. Но использовать чтобы замечательные электронные свойства графена в полупроводниковых приложениях, где ток должен быть включен и выключен, графеновые наноленты должны быть меньше, чем 10 нанометров, то есть феноменально узкими. Кроме того, наноленты должны иметь ровные, четкие края, в которых углеродные связи, должны быть параллельны ленты.
Группа Arnold вырастила ультра-узкие наноленты с гладкими, ровными краями непосредственно на германиевых подложках с использованием процесса химического осаждения из паровой фазы. В этом процессе, исследователи начинают с метана, который адсорбируется на поверхности германия и разлагается с образованием различных углеводородов. Эти углеводороды реагируют друг с другом на поверхности, где они и образуют графен.
Регулируя скорость и время роста, исследователи могут легко настроить ширину ленты, сделав ее меньше, чем 10 нм. «Мы обнаружили, что когда графен растет на германии, он, естественно образует наноленты с очень гладкими, ровными краями» говорит Arnold. «Ширина может быть очень, очень узкой и длины ленты очень длинной, так что все желательные особенности, которые мы хотим получить в графеновой наноленте автоматически происходят, благодаря этой технике».
