$86.59 €100.57

Последние новости

04.09.2026, 21:34 Премия 2026 Yidan Prize присуждается лицам, переопределяющим образование и уход на стыке здравоохранения, питания и экономики

04.09.2026, 21:49 HiKOKI Europe представила новое поколение беспроводных гвоздезабивных пистолетов

04.09.2026, 19:07 TCL продвигает свои амбиции в области смартфонов с серией P80 на IFA 2026

04.09.2026, 18:22 MEGA SHOW Hong Kong 2026: ведущая азиатская выставка по по поиску поставщиков и закупке товаров в Гонконге возвращается в октябре этого года и пройдет в 33-й раз

04.09.2026, 17:17 Hisense представила «Жизнь компаньона» с искусственным интеллектом на IFA 2026

04.09.2026, 17:23  Zendure представляет Agentic HEMS на IFA 2026: «Домашний энергетический центр эпохи ИИ»

04.09.2026, 17:33 Посетители российских ТЦ в 2 раза больше тратят на продукты, чем на маркетплейсы

04.09.2026, 13:57 Sceye и SoftBank Corp. завершили в Японии демонстрационные испытания стратосферной связи, сделав очередной шаг к коммерциализации HAPS

04.09.2026, 13:52 APsystems достигла важного рубежа в области безопасности: система APstorage 261L успешно прошла испытания по стандарту UL 9540A

04.09.2026, 09:28 BingX запускает инициативу «Connect What’s Moving», чтобы приблизить пользователей к глобальным рыночным возможностям

ВСЕ НОВОСТИ

Новый мультиферроик приближает эру энергоемкой электроники

Наука

Исследователи Университета Мичигана и Национальной лаборатории Лоренса Беркли сконструировали материал, который может привести к созданию нового поколения вычислительных устройств, повышая их вычислительную мощность на долю энергии, по сравнению с современной электроникой.

Магнитоэлектрические мультиферроики сочетают в себе электрические и магнитные свойства при комнатной температуре, объясняет ведущий разработчик John Heron. «Перед этой работой, был только один мультиферроик, магнитные свойства которых можно регулировать с помощью электричества при комнатной температуре», сказал Heron. «Новый материал — это огромный шаг вперед».

Мультиферроики, работающие при комнатной температуре, являются перспективными в области электроники, поскольку требуют гораздо меньше энергии для чтения и записи данных, чем современные устройства на основе полупроводников. Кроме того, эти данные не обращается в нуль при выключении питания. Такие свойства позволяют конструировать устройства, которые требуют короткие импульсы электроэнергии вместо постоянного потока, нужного сейчас для электроники. Такая технология требует в 100 раз меньше энергии, в сравнении с существующими стандартами

Соавтор разработки Ramamoorthy Ramesh говорит: «Электроника является наиболее быстро растущим потребителем энергии во всем мире. Сегодня около 5 процентов от общего мирового потребления энергии тратится на электронику, и по прогнозам, эта цифра вырастет до 40-50 процентов к 2030 году, если мы продолжим в том же темпе».

Для того, чтобы создать новый материал, исследователи усовершенствовали атомарное пленки гексагонального оксида железа лютеция (LuFeO3), материала, который обладает сегнетоэлектрическими, но не магнитными свойствами. Оксид лютеция железа состоит из чередующихся монослоев оксида лютеция и оксида железа. Затем инженеры использовали технику молекулярно-лучевой эпитаксии, добавив один дополнительный монослой оксида железа на каждые 10 атомных повторов.

«Нам удалось достичь новой атомной структуры , которая проявляет сильные магнитные свойства», говорят авторы. Результатом стал новый материал, который сочетает в себе свойства оксида лютеция с магнитными свойствами оксида железа, с возможностями мультиферроика при комнатной температуре.

Heron и его коллеги считают, что жизнеспособное устройство на основе мультиферроиков, скорее всего, появится через несколько лет, и их работа приближает ученых к созданию электроники, которая потребляет меньше энергии.